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1045V下导通电阻低至10135m的TrenchFETMOSFETVishay万芳

发布时间:2020-02-14 11:21:20 阅读: 来源:冷拔扁钢厂家

10/4.5V下导通电阻低至1.0/1.35mΩ的TrenchFET MOSFET(Vishay)

SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN适用于高功率密度DC/DC转换器、同步整流、同步降压转换器和OR-ing应用。典型终端产品包括开关电源、电压调节模块(VRM)、POL、通信砖式电源、PC和服务器。

TrenchFET Gen IV经过了100%的Rg和UIS测试。这些器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定和RoHS指令。

TrenchFET Gen IV系列中所有产品的完整详细数据请访问:http://www.vishay.com/mosfets/trenchfet-gen-iv/。

Vishay Siliconix是业内首家引入Trench MOSFET的供应商。该公司的TrenchFET知识产权包括大量专利,以及可追溯到20世纪80年代早期的基础技术专利。每一代新的TrenchFET技术生产出来的产品都将各种计算、通信、消费电子和其他应用中功率MOSFET的性能指标提高了相当可观的数值。

器件规格表

型号

SiRA00DPSiRA02DPSiRA04DPSiSA04DN

VDS (V)30303030VGS (V)20202020RDS(ON) ( )max.VGS = 10 V0.001000.002000.002150.00215VGS = 4.5 V0.001350.002700.003100.00310Qg (nC)VGS = 4.5 V66.034.322.522.5Qgs (nC)26.013.68.68.6Qds (nC)8.64.14.04.0

封装

PowerPAK SO-8PowerPAK SO-8PowerPAK SO-8PowerPAK 1212-8

TrenchFET Gen IV MOSFET现可提供样品,在2012年1季度实现量产,大宗订货的供货周期为十二周。

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